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美國IXYS模塊

總部設在加利(li)福(fu)尼亞州米爾皮塔(ta)斯和(he)瑞(rui)士Biel的IXYS公(gong)司,有(you)IXYS“30年(nian)的歷(li)史,它的創立(li)者是Nathan Zommer博(bo)士,作為一個*要的功率半導體制造商已經獲得了**性的聲譽。SIEGLING輸送機皮帶

IXYS專門生產功(gong)率半(ban)導體器件,集成(cheng)電(dian)路和(he)射頻功(gong)率多元化的產品,有2500多客戶利用在**各地,包(bao)括在工業,交通,通信,計(ji)算機,醫療,消費品和(he)清(qing)潔(jie)技術市場。
IXYS公(gong)司主要(yao)產品:
IXYS電源設備
離散 Mosfet
N 通道: 標準功(gong)率(lv) Mosfet
N-通道(dao): 功率(lv) Mosfet 快本(ben)征二*管 (HiPerFET ™)
N 通(tong)道: 消耗(hao)模式 Mosfet
N 通道: 線性(xing)功率 Mosfet 與擴(kuo)展 FBSOAs
N 通道(dao): 溝門功(gong)率 Mosfet
N 通道: 超(chao)級交界處 COOLMOS ™ 功率 Mosfet
P-通道: 標準功率 Mosfet
 
IXYS   MOSFET 模塊
X 級功率 MOSFET、H 橋 MOSFET 模(mo)塊(kuai)、階段腿 MOSFET 模(mo)塊(kuai)、溝門 MOSFET 模(mo)塊(kuai)
升壓(ya)和降壓(ya)配置(zhi)、雙開關常(chang)見源 MOSFET 模塊(kuai)、單開關 MOSFET 模塊、ISOPLUS DIL ™ 溝槽 MOSFET 模塊
分立器件
XPT ™ Igbt、PT Igbt、NPT 分立器件、額定(ding) PT Igbt 短(duan)路、很高(gao)的電(dian)壓 NPT igbt 器件、BiMOSFETs/反(fan)向(xiang)進行 Igbt、反(fan)向(xiang)阻斷 Igbt、記者(zhe)包(bao) Igbt、XPT 離散在 SMPD 包(bao)中(zhong)
IGBT 模塊
XPT IGBT 模塊
轉(zhuan)換器/剎車/Inv (CBI) IGBT 模塊、全橋 IGBT 模塊
IGBT 模(mo)塊在(zai) ISOPLUS i4-PAC ™、階段腿(tui) IGBT 模(mo)塊
升壓和降壓斬波器的 IGBT 模(mo)塊、IGBT 模(mo)塊在 SMPD 包中(zhong)
IGBT 交流開關
快恢復二*管-分立器件 & 模塊、HiPerDYN ™ 弗(fu)雷(lei)德超快速二*管
聲波(bo) FRD ™ 快恢(hui)復(fu)二(er)*管、(弗雷德(de)) 快恢(hui)復(fu)二(er)*管
弗雷德 & HiPerFRED ™ 模塊、額外快(kuai)恢復二*管
軟恢復(fu)二*管、高功(gong)率聲波 FRD ™
SemiFast 二(er)*管(guan)
快恢(hui)復(fu)二*管-螺柱類型
快恢復二*管-膠囊類型
肖特基二*管(guan)
硅肖特基(ji)二(er)*管
碳化硅肖特基(ji)二(er)*管
整流二*管,橋梁(liang),PFC、
1 ~ 整流橋
1 ~ / 3 ~ 半(ban) & 全控橋
3 ~ 整流橋(qiao)
3 ~ 橋梁與 IGBT 和二*管的制動單(dan)元
3 ~ 快速二(er)*管 & 集(ji)成軟起動晶閘(zha)管橋(qiao)
1 & 3 階段高電壓整流模塊
1 ~ PFC 模(mo)塊 (1 ~ 橋 ;+ MOSFET 升壓)
3 ~ PFC 模(mo)塊
IXYS二*管橋
晶(jing)閘(zha)管分立(li)器件(jian)、相位控制晶閘管、快速開關晶(jing)閘管、中(zhong)等電壓晶(jing)閘管
門關斷晶閘(zha)管(guan)、非(fei)對稱晶閘(zha)管(guan)、分布式的閘(zha)門晶閘(zha)管(guan)
脈(mo)沖晶閘管(guan)、MOS 門控晶閘管(guan)、二*管(guan) & 晶閘管(guan)模塊
單個(ge) & 雙二(er)*管(guan)模塊、可控(kong)硅/二(er)*管(guan)模塊、單個(ge) & 雙可控(kong)硅模塊
IXYS水冷模塊
交流(liu)開關、DCB 基板(ban)和模具、直接(jie)銅保稅氧(yang)化鋁基板(ban)、XPT IGBT 模具
IXYS高壓電流調節器
非可切換(huan)電流(liu)調節器、可切換(huan)電流(liu)調節器、閘門控(kong)制電流(liu)調節器
開(kai)關
IXYS交流開關、SMPD、SMPD 二*管、SMPD Igbt、SMPD Mosfet、SMPD BiMOSFET
保護裝置
導通二*管 (BOD)Diristors
碳化(hua)硅 (SiC) 產品(pin)
功率 Mosfet整流橋IGBT
 
IXYS集成電路
LED & 液(ye)晶屏驅動(dong)程序
背(bei)光 LED 驅動(dong)程序
Flash LED 的驅動程序(xu)
離(li)線高亮度(du) LED 的驅動(dong)程(cheng)序(xu)
LED 控制器
光電隔離的固態繼電器
固態繼電器 MOSFET 型)
功率繼電器
交流開關 (可控硅型)
IXYS光電耦合器和放大器
光電耦合器
光電隔離的誤差放大器
線性光電耦合器
電信 Ic
線卡接入交換機
其他電信(xin) Ic
Cybergate 數(shu)據(ju)訪問(wen)安排 (DAA)
IXYS音信號(hao)產品
LITELINK ™ 硅 DAA、控制器/調節/傳感器、高邊電流監測器
IXDP610 數字脈寬調制控制器、數字的死區時間發生器
µPower 霍爾效應開關
12 位、 多通道功率 & 溫度傳感器
高速度水平移相器
門(men)驅動程(cheng)序、半橋 & 3 相門(men)驅動程(cheng)序
MOSFET/IGBT 柵*驅(qu)(qu)動程(cheng)序(xu)、全(quan)橋門驅(qu)(qu)動程(cheng)序(xu)
IXYS多功能產品
IXYS高速數字光隔離器
電源管(guan)理(li) Ic、高電壓模擬開關
IXYS線性穩壓器
升壓 DC/DC 變流器控制器
電(dian)(dian)壓檢(jian)測(ce)器、帶內(nei)置(zhi)電(dian)(dian)感降壓和升壓轉換器
地面(mian)故障(zhang)中斷、ZGFI
射頻、RFID 芯片(pian)、定制的設計服務(wu)RFID 配件
 
 
IXYS微控制器
Z8 安可 !、eZ80、ZNEO、Z8051、S3 家(jia)庭
檢測 & 控制、沒(mei)有被運動、電機控(kong)制、MC flash
射(she)頻功率(lv)
射頻放大器、MMIC 放大器(qi)、WiMAX 放大器(qi)
無線擴音機、HBT 放(fang)大器、WiMax Gan 基射頻(pin)功(gong)率放(fang)大器
RF Mosfet、GaAs 場效應(ying)晶體管/pHEMTs/HFETs
切換模式 Mosfet、高頻(pin)(pin) / 甚高頻(pin)(pin)線性(xing) Mosfet
混合動力模塊
標準(zhun)增益課程模塊、標準(zhun)電壓調節模塊
標準溫度補償模塊、射頻驅動(dong)程(cheng)序
MOSFET 驅(qu)動 Ic、激光二(er)*管(guan)驅(qu)動 Ic、GUNN二(er)*管(guan)
 
IXYS系統
激光二(er)*管驅動(dong)程序、臺式激光二(er)*管驅動(dong)程序
激(ji)光二*管(guan)驅動配件、激(ji)光二*管(guan)驅動模塊(kuai)
IXYS電機(ji)控制
單相電機效率控制器、脈沖的功率
脈沖發生器配件套(tao)件
延遲 & 信號發生器、高壓脈沖發生器
 
IXYS綠色能源
太陽(yang)能產品
IXOLAR ™ **率(lv) SolarBIT & SolarMD
其他太陽能(neng)電池(chi) — —"芯片上的(de)太陽能(neng)電池(chi)板"、太陽能(neng)手持產品(pin)
風電產品、Wespack、 Igbt
部分型號(hao):
IXYS-0011 模塊 MCC95—16I01B  
       
IXYS-0017   CS23-16IO2 可控硅模塊
 


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