aixACCT是您在材(cai)料開(kai)發(fa)(fa)和設備鑒定方面(mian)進行電氣測試(shi)(shi)的(de)(de)合作伙伴，并通(tong)過(guo)(guo)提供(gong)新的(de)(de)測試(shi)(shi)概念和系統(tong)解(jie)決方案縮短了客戶新產(chan)(chan)品(pin)(pin)的(de)(de)上市時間。產(chan)(chan)品(pin)(pin)通(tong)過(guo)(guo)不(bu)斷創新，涵蓋從材(cai)料研究到原型測試(shi)(shi)以(yi)及生產(chan)(chan)過(guo)(guo)程中的(de)(de)質(zhi)(zhi)量保證的(de)(de)整個范圍。多(duo)年來積(ji)累了豐(feng)富的(de)(de)設計開(kai)發(fa)(fa)經(jing)驗以(yi)及技術知識(shi)，通(tong)過(guo)(guo)不(bu)斷地研究發(fa)(fa)展(zhan)，為(wei)客戶提供(gong)高品(pin)(pin)質(zhi)(zhi)的(de)(de)產(chan)(chan)品(pin)(pin)及服務(wu)。

產品范圍：

德(de)國aixACCT激光干(gan)涉儀(yi)、共振分析儀(yi)、放大器、傳感器、執行器。

主(zhu)要型號：

TF 3000、TF 2000 E、TF 1000

相關產品(pin)介紹：

雙光束激光干涉儀

aixACCT Systems已將(jiang)公認的雙(shuang)光(guang)束(shu)技術擴展到可商用的雙(shuang)光(guang)束(shu)激(ji)光(guang)干涉儀(yi)系統，以(yi)進行長達8英寸的晶圓(yuan)表(biao)征。

用(yong)于測(ce)量d 33的(de)(de)雙光(guang)束激光(guang)干涉儀(yi)（aixDBLI）提供經(jing)過驗證的(de)(de)精度（x切割石英），max可達0.2 pm / V。該系(xi)統的(de)(de)主要特(te)點是單次測(ce)量的(de)(de)采集時間*為(wei)幾(ji)秒鐘。基于新的(de)(de)數據采集算法，測(ce)量速度提高了100倍。這使(shi)得**比(bi)較了以相同激發(fa)頻率記錄的(de)(de)薄膜的(de)(de)電氣和機械數據。由(you)于差(cha)分測(ce)量原(yuan)理，**了樣(yang)品彎曲的(de)(de)影響，這是使(shi)用(yong)原(yuan)子力顯微鏡(jing)（AFM）進行此(ci)類測(ce)量的(de)(de)主要障礙(ai)。

測量:

-機(ji)電大(da)信號應(ying)變和(he)*化測量。

-壓(ya)電小信號系(xi)數和介電常數與直流偏置電壓(ya)的(de)(de)關系(xi)。如果剛度(du)值(zhi)(zhi)已知，則可以使用(yong)附加的(de)(de)aixPlorer軟件工具從這些(xie)值(zhi)(zhi)得出耦合系(xi)數。

-電(dian)氣和機電(dian)性能疲勞。

aixDBLI系統的(de)(de)*特性能使其適用于(yu)(yu)6“晶片上的(de)(de)MEMS（微機(ji)電系統）設備(bei)的(de)(de)壓(ya)電和(he)電氣可(ke)靠性測試。該系統的(de)(de)出色(se)分辨率和(he)可(ke)重復性優于(yu)(yu)2％，可(ke)大(da)規模(mo)生(sheng)產。整(zheng)個裝置(zhi)包括位于(yu)(yu)減振室內的(de)(de)光學(xue)組件，TF Analyzer 2000和(he)一些附加的(de)(de)模(mo)擬電路。

技術數據:

-解(jie)析(xi)度:1 pm經過x-cut Quartz測試(shi)

-位移/應變(bian)測量:50 Hz-5 kHz

               100 mV至10 V

 至25 V（可(ke)選(xuan)）

-壓電d 33系數：

偏壓  ：（1 mHz至1 Hz）

         100 mV至10 V

         至25 V（可選）

小信號：（1 kHz至10 kHz）

          100 mV至10 V

-電致(zhi)伸縮M 33：類似于d 33

-C（V）測(ce)量:

偏(pian)壓  ：（1 mHz至1 Hz）

          100 mV至10 V

          至25 V（可選）

小信(xin)號：（1 kHz至(zhi)10 kHz）

          100 mV至10 V